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    数(shù)明半导体将(jiāng)参加电(diàn)机驱动与(yǔ)控制论坛

    2021-08-25
    随(suí)着工业化、信息化程度不断提高(gāo),电机正朝着高(gāo)效(xiào)化、小型化、集成化、驱动一体化方向纵深发展,传统电机驱动(dòng)技术已(yǐ)经不能满足用户的新需求。未来预计集成一体化(huà)、永磁高(gāo)效(xiào)化和数字智能(néng)化(huà)将是电(diàn)机驱动技术的发展趋势。

    2021年(nián)8月26日(rì),BG大游和数明半导体将参加(jiā)由Aspencore在深圳圣淘沙(shā)酒店主办的(de)电(diàn)机驱动与控制论坛(tán)。本次会议(yì)特邀多位原厂专(zhuān)家(jiā)亲临现场(chǎng),探讨(tǎo)电机驱动技(jì)术的(de)发展趋势并解析各种控制(zhì)技术演进。

    在(zài)会议现场,BG大游和数明半导体(tǐ)FAE总(zǒng)监——卢祥超(chāo)先(xiān)生将进行《利用非隔离半(bàn)桥提升电机驱动系统(tǒng)的可靠性》主题演讲。除技术演讲外(wài),BG大游和数明半(bàn)导体还将在现场重点展示120V 集成自举二极管的高频高低边驱(qū)动器 SLM27211


    高频N沟(gōu)道(dào)MOSFET驱动器SLM27211在片内集(jí)成了一个额定(dìng)电(diàn)压为 120V 的自举二(èr)极管,因此无(wú)需采(cǎi)用外部分立式二极管(guǎn)。高侧和(hé)低侧(cè)驱(qū)动(dòng)器(qì)均(jun1)配有欠压锁定功能,可提(tí)供对称的导(dǎo)通和(hé)关断行(háng)为,并(bìng)且能够在驱(qū)动(dòng)电压(yā)低于指定阈值时(shí)将输出强制为低电平(píng)。


    ◆ 3.5A/4A 的驱动能力

    ◆ 22nS延迟(chí)时间

    ◆ 工作电压8V-17V

    ◆ 输(shū)入支持TTL和CMOS逻辑

    ◆ 输入可耐受-5V

    ◆ 欠压(yā)保护

    ◆ 工作温度范围:-40℃-125℃

    ◆ 封装:SO8,ESOP8,DFN8 4mm x 4mm,DFN10 4mm x 4mm


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