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SiLM27517H

单通（tōng）道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器（qì）

样片申请

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产品（pǐn）概（gài）述（shù）

产品特性

安（ān）规认证

典型（xíng）应用图

产品概述（shù）

SiLM27517H 系列是单（dān）通道高欠压保护低边门极驱动器，可（kě）有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27517H 采用一种能够（gòu）从内部极大（dà）的降低直通电流的设计，将高峰值的源电流和（hé）灌（guàn）电流脉冲提（tí）供（gòng）给电容（róng）负载（zǎi），以实现轨到轨（guǐ）的驱动能力和典型值（zhí）仅为 18ns 的极（jí）小传播延迟。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的（de）峰值灌电流。SiLM27517H 欠压（yā）锁定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低（dī）成本的门极驱动方案可用于替代（dài） NPN和 PNP 分离器件方案

4A的峰值源电流和（hé） 5A 的峰值灌电流（liú）能力

快速的传播（bō）延时（典型值（zhí）为 18ns）

快（kuài）速的上升和下（xià）降时间（典（diǎn）型（xíng）值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输（shū）入逻辑电压阈值

双输（shū）入（rù）设计(可选（xuǎn）择反相（xiàng）或非反相驱（qū）动配置)

输入浮空时输出保持为低

工作温度范围为 -40°C 到 140°C