SiLM27519 器（qì）件是单通道高（gāo）速低边门极（jí）驱动（dòng）器，可（kě）有效（xiào）驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用（yòng）一种能够从（cóng）内（nèi）部极大的降低（dī）直通电（diàn）流（liú）的设计，将（jiāng）高（gāo）峰值的（de）源电流（liú）和灌（guàn）电（diàn）流脉（mò）冲提供（gòng）给（gěi）电容负载（zǎi），以实现轨（guǐ）到轨的驱动（dòng）能（néng）力和典型（xíng）值仅为 18ns 的极小传播延（yán）迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流（liú）和 5A 的（de）峰值灌电流。
低成本的门（mén）极驱动方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离器件（jiàn）方案
4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力
快速的传输延（yán）时（典型值为 18ns）
快速的（de）上（shàng）升和（hé）下（xià）降时间（典型（xíng）值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的（de）单电源范围
VDD 欠（qiàn）压闭锁（suǒ）功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值（zhí）
双输入设计(可（kě）选择反相或非反相驱动配置)
输入（rù）浮空时（shí）输出保持（chí）为低
工作温度范围为 -40°C 到（dào）140°C
提供（gòng） SOT23-5 的封装选项
400 080 9938
