SLM2110是一款高压、高（gāo）速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器，它提供独（dú）立的高边、低边（biān）输出驱动信号。采用专有的高压集成（chéng）电路和锁存免疫CMOS技术，提供可（kě）靠的单（dān）芯片驱动方案（àn）。逻辑输入（rù）电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持（chí）3.3V逻辑（jí）。输出驱动器具有高脉（mò）冲电流（liú）缓冲级，以减小驱（qū）动器交叉导（dǎo）通（tōng）。延时匹（pǐ）配很方便应用于高频设备。浮动通道可用（yòng）于驱（qū）动高（gāo）边配置的N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压（yā）可高达600V。
为自举供电（diàn）设计的浮动通道（dào）
全电压范围运行达600V
允许瞬态负电压，不受dV/dt影响
驱动电源（yuán）范围从（cóng）10V到20V
欠压闭锁
3.3V、5V和15V逻辑兼（jiān）容（róng）
逻辑地和功率地能承受±5V偏置
防止交叉（chā）导通（tōng）逻辑
输入有下拉电（diàn）阻的COMS斯密（mì）特触发器
逐周期边缘触（chù）发的关闭逻（luó）辑
两通道间匹配传输（shū）延时
输入输出同相
典（diǎn）型开通/关断延时：140ns/140ns
典型驱动（dòng）电流：1A/1.6A
400 080 9938
