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SLM2005E

200V低（dī）压驱动芯（xīn）片

样片申请

SLM2005E Datasheet

产品概述

产品特（tè）性

安规认证

典型应用图

产品概述（shù）

SLM2005E 是（shì）一（yī）款（kuǎn）高压、高速（sù）的功率（lǜ）MOSFET和（hé）IGBT驱动器。采（cǎi）用（yòng）专（zhuān）有的高（gāo）压集成电路和锁（suǒ）存免疫（yì）的CMOS技术可（kě）提供可靠（kào）的（de）单（dān）芯片（piàn）驱动方（fāng）案（àn）。逻辑输（shū）入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最（zuì）低支（zhī）持（chí）3.3V逻辑。输（shū）出驱动器（qì）具有高脉冲电流缓（huǎn）冲级，以减小驱动器交叉导通。浮动通道可用于（yú）驱动高边配置（zhì）的N型（xíng）沟道功（gōng）率MOSFET或（huò）IGBT，工作（zuò）电压（yā）可高达200V。

产（chǎn）品特（tè）性

为自举操作设计的浮动通道

完全运行时电压高达（dá） 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源（yuán）范围从（cóng） 10V 到 18V

欠压（yā）闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼（jiān）容

驱动电（diàn）流：1A/1.5A

防止（zhǐ）交叉导通（tōng）逻辑

两通道（dào）间（jiān）匹配传（chuán）输延迟

输出信（xìn）号与输入信（xìn）号（hào）同相（xiàng）

通过（guò）无铅认证