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SLM2003E

200V低（dī）压驱动芯片

样（yàng）片申请

SLM2003E Datasheet

产品概（gài）述

产品特性

安规认证

典型（xíng）应用图

产品概述

SLM2003E 是（shì）一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高（gāo）压集成电路和锁存免疫的CMOS技（jì）术（shù）可（kě）提供可靠的单芯片（piàn）驱动方案。逻辑输入（rù）电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容，最低支（zhī）持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有高脉冲（chōng）电流缓冲级（jí），以（yǐ）减小驱动（dòng）器（qì）交叉导通。浮动通道可用于驱动高边（biān）配置的（de）N型沟道（dào）功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达（dá）200V。

产（chǎn）品特性

为自举操作设计的浮动通道

完全（quán）运行时电压高达 200V

容（róng）许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和（hé） 10V 逻辑输入兼容

驱动电流（liú）：290 mA/600 mA

防止交叉（chā）导（dǎo）通逻辑

两通道间匹配传输延迟（chí）

输出信号（hào）与（yǔ）输（shū）入信号同相

通过无铅（qiān）认证